干式蝕刻（又稱為等離子蝕刻）是最常用的蝕刻方式，其以氣體作為主要的蝕刻媒介，并藉由等離子體能量來(lái)驅(qū)動(dòng)反應(yīng)。在半導(dǎo)體的制程中，蝕刻被用來(lái)將某種材質(zhì)自晶圓表面上移除。等離子體對(duì)蝕刻制程有物理性與化學(xué)性兩方面的影響。首先，等離子體會(huì)將蝕刻氣體分子分解，產(chǎn)生能夠快速蝕去材料的高活性分子。此外，等離子體也會(huì)把這些化學(xué)成份離子化，使其帶有電荷。晶圓系置于帶負(fù)電的陰極之上，因此當(dāng)帶正電荷的離子被陰極吸引并加速向陰極方向前進(jìn)時(shí)，會(huì)以垂直角度撞擊到晶圓表面。芯片制造商即是運(yùn)用此特性來(lái)獲得絕佳的垂直蝕刻，而后者也是干式蝕刻的重要角色?；旧?，隨著所欲去除的材質(zhì)與所使用的蝕刻化學(xué)物質(zhì)之不同，蝕刻由下列兩種模式單獨(dú)或混會(huì)進(jìn)行：

1. 等離子體內(nèi)部所產(chǎn)生的活性反應(yīng)離子與自由基在撞擊晶圓表面后，將與某特定成份之表面材質(zhì)起化學(xué)反應(yīng)而使之氣化。如此即可將表面材質(zhì)移出晶圓表面，并透過(guò)抽氣動(dòng)作將其排出。

2. 等離子體因加速而具有足夠的動(dòng)能來(lái)扯斷薄膜的化學(xué)鍵，進(jìn)而將晶圓表面材質(zhì)分子一個(gè)個(gè)的打擊或?yàn)R擊出來(lái)。

但是，請(qǐng)記住，如果蝕刻標(biāo)牌制作具有非常小薄膜厚度特性的薄膜，則每片晶圓的干蝕刻成本將高出1-2個(gè)點(diǎn)，還可能遇到各向同性濕蝕刻的問(wèn)題，因?yàn)闇p弱程度至少等于薄膜厚度。干法刻蝕幾乎可以直接向下刻蝕而不會(huì)減弱，從而提供更高的分辨率。

濕式蝕刻是傳統(tǒng)的蝕刻方法。把硅片浸泡在一定的化學(xué)試劑或試劑溶液中，使沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜表面與試劑發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而被除去 例如,用一種含有氫氟酸的溶液刻蝕二氧化硅薄膜，用磷酸刻蝕鋁薄膜等。這種在液態(tài)環(huán)境中進(jìn)行刻蝕的工藝稱為“濕法”工藝，其優(yōu)點(diǎn)是操作簡(jiǎn)便、對(duì)設(shè)備要求低、易于實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)，并且蝕刻的選擇性也好。但是，化學(xué)反應(yīng)的各向異性較差，橫向鉆蝕刻使所得的蝕刻剖面呈圓弧形。這不僅使圖形剖面發(fā)生變化，而且當(dāng)稍有過(guò)蝕刻時(shí)剖面會(huì)產(chǎn)生虛線，致使薄膜上圖形的線寬比原抗蝕劑膜上形成的線寬小2 ,并且隨著蝕刻時(shí)間迅速增大。這使精確控制圖形變得困難。濕法蝕刻的另一問(wèn)題，是抗蝕劑在溶液中，特別在較高溫度的溶液中易受破壞而使掩蔽失效，因而對(duì)于那些只能在這種條件下蝕刻的薄膜必須采用更為復(fù)雜的掩蔽方案。對(duì)于采用微米級(jí)和亞微米量級(jí)線寬的超大規(guī)模集成電路，蝕刻方法必須具有較高的各向異性特性，才能保證圖形的精度，但濕式蝕刻不能滿足這一要求。